thyristor サイリスタ
pn pn 接合構造の三番日のp層にゲート電極を付け，スイッチ動作を行わせる半導体素子。
この構造では，陽極（P層）と陰極（n層）間の電流−電圧特性に負性抵抗が現れる。
そこで，ゲート電極から流れ込む電流の大きさに従って電流−電庄特性の動作点を移動することにより，
オフ（電流が流れない）状態からオン（電流が流れる）状態への切り替え（スイッチング）を行える。
オン状態からオフ状態にするには主電流回路を切る。
最近，ゲートによって主電流を切ることのできるゲート・夕−ンオフ・サイリスタ（GTO）も開発された。
光によってスイッチングを行う光サイリスタもある。
いずれも大電流をスイッチできるので，各種制御装置，保護装置，調光装置などの大電力装置に使われる。
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