Static Random Access Memory（SRAM）
導体メモリーの種類を表わす用語の１つ。
SRAM は４〜６個のトランジスターで構成される，双安定型フリップフロップ回路でデーター（１bit）を保持している。
そのため DRAM のようなリフレッシュは不要。
また高速なメモリーや消費電力の少ないメモリーを作るのに適している。
反面，トランジスター数が多いため DRAM 並に集積度を上げることは難しく，容量が同じ場合には，DRAM に比べかなり高価になってしまう。
このため，パソコンではキャッシュメモリーやバッテリバックアップされる RAM などの限られた用途で利用されている。
また製造プロセス技術の開発テストにも用いられる。
2002年10月11日，宇宙科学研究所は民生用プロセス技術をもとに耐放射線 SRAM を開発したと発表。
この 128Kbit SRAM は，Silicon on Insulator（SOI）構造の採用と回路の改良により，
民生品の20倍の耐放射線性能をもち，静止軌道上でのソフトエラー発生確率は推定9000年に１回。
さらに，半導体を宇宙環境で使用する場合問題となる，放射線による故障モード（Single Event Latch-Up）が発生しないという。
開発は三菱重工業の SOI 技術に宇宙研の耐放射線技術を適用して行われたが，この技術は NASA 等で高い評価を得ている。
2006年２月９日，MIT の研究者が Texas Instruments の 65nm CMOS プロセスで製造された超低消費電力 256kbit SRAM の試作品を発表。
2008年12月17日，東芝と IBM，AMD は，セル面積が0.128平方マイクロメートルと，立体型としては世界最小の SRAM セルを開発し，動作を確認したと発表。
フィン形状の立体構造電界効果トランジスタ（FinFET）と，高誘電率（High-k）ゲート絶縁膜，メタルゲートを採用し，これまで最小だった0.274平方マイクロメートルのセルより50％以上小型化した。
Asynchronous SRAM アシンクロナス SRAM
非同期タイプの SRAM で，現在もっとも一般的な種類のもの。
単に SRAM というとアシンクロナス SRAM を指す。
i486用のマザーボードの２次キャッシュに使用されている DIP タイプの高速 SRAM はこのタイプ。
Burst SRAM（B-SRAM） シンクロナス SRAM，同期 SRAM
CPU のキャッシュなどに用いられる高速なメモリー。
読み出しアドレスを一回指定すれば，その後のアドレスをメモリー内部で自動的に補完する。
CPU は次回からはアドレス指定なしに複数回の読み出しができ，
その分，高速なデーター転送が可能となっている。
Pipelined Burst SRAM（PB SRAM）
CPU のキャッシュなどに用いられる高速な非同期メモリー。
内部にバースト転送アドレスの生成回路を設け，
メモリアクセスをパイプライン化して高速化を図った SRAM。
アドレスを内部で自動的に補完するために高速なデータ転送が可能となる。
Quad Data Rate SRAM（QDR）
スイッチやルータなどのネットワーク機器向けに開発された SRAM の一種。
データの入力ポートと出力ポートを分離し，それぞれに DDR インターフェイス方式を採用することで従来の DDR SRAM に比べて，２倍以上のデータ転送能力を実現。
1999年より Cypress Semiconductor，Integrated Device Technology(IDT)，Micron Technology の３社により開発，共通仕様化が進められ，各社個別に製品開発が行なわれてきた。
NEC は2001年２月29日，上記の３社と，QDR の共同開発に合意したことを発表した。
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