Random Access Memory（RAM）
任意のアドレスを指定して，データーの書き込みと読み出しが可能な半導体記憶素子，
そのなかで電源を切るとデーターが消失する揮発性のタイプを指す。
RAM の大きさというと普通はメインメモリーの容量を指す。
高速な読み書きが可能であり，ランダムアクセスできるので，現在ではコンピューターの主記憶はすべて RAM を使っている。
RAM にはその構造によって，絶えず再書き込みを行なわなければならない DRAM（ダイナミック RAM）と，
一度書き込めば電源が供給されている限り記憶が保持される SRAM（スタティックRAM）がある。
次世代 RAM としては，MRAM などがリリースを目指している。
対応語 ROM
関連語 RAM ディスク，FeRAM，ReRAM
実装面積を節約するため，DRAM をボードに直接取り付け，２段に立体的に重ねることで，
大容量でコンパクトにする設計技術が，基盤２層設計と呼ばれたこともあった。
ソフトエラー
一般に RAM 上のデーターが電源変動やノイズがないにもかかわらず，再現しない誤りを生じる現象をいう。
1970 年台末，DRAM が 16 K から 64 K になろうとしていた時，書き込まれたデーターが，ランダムに消えるという現象として問題になった。
原因の一つとして，パッケージに含まれる放射性元素から出るα線が上げられた。
対応策として次の三つが考えられた。
１）メモリーセルの電圧を上げる。
２）パッケージの原料に含まれる放射性物質の量を減らす。
３）IC の内部にエラー訂正回路を組み込む。
アメリカのメーカーは主に１）３）を，日本のメーカーは１）２）を取ったと言われる。
2007年ごろになり，同時に複数の bit が反転する，マルチセルアップセット(MCU：Multi-Cell Upset)またはマルチ bit エラーと呼ばれる不良が問題になりつつある。
Parallel Processing RAM（PPRAM）
九州大学が中心になって開発を進めている新しいロジック混載メモリー。
PPRAM では大容量メモリーとマルチプロセッサーを PPRAM-Link と呼ばれる通信インターフェイス/プロトコルで接続する。
spin torque transfer RAM（TT-RAM）
微細な磁石に一定方向の電子スピンをもつ電流を流し，記録層の磁化の方向を変える。
磁化の方向（上下，または左右）に応じて抵抗値が変わることから，抵抗値の大小に『１』または『０』を割り当ててデータを保存する。
IBM と TDK は 65nm プロセスの試作品を2011年までに開発することになっている。
光 RAM チップ
フォトニック結晶と呼ばれる人工構造を用いて，光メモリの消費電力を従来比300分の1以下に低減し集積チップ化したもの。
これを用いることで，光データを電気に変換することなく蓄積・転送することが可能となり，将来的には，ルータなどのネットワーク処理機器の大幅な高速化，低消費電力化が期待できる。
Memtest86
CD から起動してさまざまなテストセットを物理 RAM に対して実行し，新しいハードウェアが必要かどうかをリポートする。
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