memory
名詞
１）記憶，記憶力
２）個々の思い出
３）追憶，追悼
４）形見，記念（物）
５）コンピューターの記憶装置
メモリー Memory コンピューター用語
データを記録するための装置。
この言葉は，メモリーチップまたはそれを組み合わせたもの（DIMM など），
コンピューター内部のメモリー全体（全領域）またはメモリーを利用したもの，
それともっと大きな概念である記憶装置としての意味で使われている。
一般にはコンピューターの内部記憶装置または，記憶装置に使用されているメモリーチップのことを指し，
磁気テープ，フロッピーディスク，ハードディスクなどの外部記憶装置とは区別することが多い。
CPU はメモリーの情報をもとに様々な処理を行うので，
搭載されるメモリーが多いほど，高速なほど，処理能力が高くなる。
メモリーチップには RAM と ROM がある。
RAM は記憶内容を保持するために電源が必要で，メインメモリーやキャッシュメモリーなどに使用される。
ROM は記憶内容を保持するために電源の供給を必要としないメモリーで，BIOS などに使用される。
RAM には SRAM や DRAM があり，ROM には UVEPROM，EEPROM，マスク ROM，フラッシュメモリーなどがある。
2004年２月，新しいメモリーために Memory Implementers Forum が結成された。
各メモリーの比較
Resistance RAM（RRAM）
メモリーアドレス
主記憶装置，ディスク記憶装置などの中の記憶場所を示すための識別子の集まり。
番地ともいう。
記憶装置を多数の電子的な記憶単位の集合として扱い，
各単位を識別するために一連の番号（絶対アドレス）を付けておき，
読み取ったり書き込んだりする時に，この番地で記憶装置内のプログラムやデータを指定する。
通常１ワード分が１番地分になる。
ソースプログラム内では絶対アドレスのほか，ラベル名，記号アドレスで表現することもある。
外部記憶装置でも，ランダムアクセスが可能なら番地はある。
ただ，普通は論理セクターという。
メモリーエラー
メモリーに書き込んだ情報と読み出した情報が異なること。
チェック方法としてはパリティチェックと ECC の２種類がある。
メモリーに上記の機能があるかどうかは，BIOS が判定する。
メモリーコントローラー
コンピュータシステム上で RAM の，データの読み出し，書き込み，DRAM メモリのリフレッシュなどのメモリの機能を制御する LSI，またはその機能の事。
以前は，メモリーは直接 CPU に接続されていたが，メモリー用量の増大（仮想メモリー），DRAM などの採用に伴い CPU とメモリーの間でこの機能・LSI が必要となった。
Intel のアーキテクチャでは2008年に発売された Xeon 7400（開発コード，Dunnington）まで，メモリ コントローラは CPU とは別のチップ（チップセット）にあり，フロントサイド バス（FSB）が標準搭載されていた。
このため，メモリにアクセスするには，CPU は外部の FSB を経由して，メモリの内容を取得する必要があった。
AMD のデスクトップ プロセッサ『Athlon』と『Phenom』およびサーバー プロセッサ『Opteron』では，CPU 上にメモリ コントローラが搭載されているため，それぞれの CPU コアはメモリに直接アクセスできる。
メインメモリー
コンピュータ本体に内蔵され、主にプログラムの実行に使われるメモリー。
主記憶装置、内部記憶装置と呼ぶこともある。
増設メモリー
コンピューターなどのメモリーを増やす部品。
かっては機種毎の専用品が殆どだったが，AT 互換機になってからは，汎用品ですむようになった。
現在ではスペックさえ合えば，どのメーカーでも問題はないとされる。
2000年現在の主流は DIMM。
内部メモリー，外部メモリー
こういった言い方は，あまり使わない。
あえて言うなら，マザーボードの外・内で分けて，
キャッシュメモリーやメインメモリーは内部で，
外部記憶装置である HD やフラッシュメモリーが後者か。
また，CPU 内部のレジスター・キャッシュとメモリーとする場合もある。
nonvolatile memory 不揮発性メモリー
コンピュータ本体や周辺機器の電源を切っても記憶内容を保持できるメモリー。
ROM も不揮発性メモリーといえる。
次世代としては，FeRAM のほか，磁気を利用する Magnetic RAM（MRAM），素材の抵抗値の変化を利用する Ovonic Unified Memory（OUM）などがあり，それぞれ開発・実用化が進められている。
Phase Change Memory（PCM） 相変化メモリー
特殊な材料の非晶質から結晶構造への状態変化（アモルファス化/結晶化）によりデータを保存するメモリー。
電源を切ってもデータが保持される。
従来のフラッシュメモリよりも少ない消費電力で高速の読み取り・書き込みを実現。
フラッシュメモリの代替として期待される。
消費電力が低く，従来のメモリよりもかなり寿命が長く，小さなサイズで大容量のデータを格納することができる。
フラッシュメモリの代替物とみなされているが，コンピュータに挿入されるメモリの１種としても使用できる可能性がある。
加熱すると，単一ビット内部の材料が結晶化する。ここでビットに光を当てると，その反射像がコンピュータの2進法における『１』として記録される。
再加熱し冷却すると，『１』と記録されたビットがアモルファス（非晶質）状態となり『０』となる。
課題は，製造方法と信頼性の実現。
ビットを結晶状態から非晶質状態へと変化させるには，電荷を加えるか，急激に摂氏600度まで加熱しなければならず，またその際に近隣ビットの値を変化させないようにする必要がある。
2005年５月23日，IBM，Infineon Technologies，Macronix International は，この共同研究活動を開始すると発表。
2006年12月11日，IBM は新材料を採用したことにより，フラッシュメモリの500倍の速度での書き込みに成功したと発表。
同社と Macronix，Qimonda が2005年から共同で開発していた。
2008年２月６日，Intel と STMicroelectronics はサンプル出荷を開始したと発表。
non-uniform memory access（NUMA）
マルチプロセッサーのデータアクセス速度を高める機能または技術で，名前はメモリーから情報を取り出す際にかかる時間が一様でないことによる。
CPU とメモリをいくつかの独立したセルにグループ分けし，CPU が取り出そうとする情報が同じセル内にあれば素早く入手できる。
標準的なサーバー用アーキテクチャーでは，メモリと CPU は離れた場所にあり，大量のデータが行き交うバスを通じて情報をやりとりしなければならない。
複数のプロセッサーを搭載した大型サーバーの設計に使われる技術で，これまでハイエンドの UNIX サーバーでしか使えなかったが，この技術を搭載したマシンは不幸な運命をたどっている。
何百基ものプロセッサーを搭載した SGI の巨大コンピューターは，SGI の財務状況が悪化などですきま市場に追いやられた。
Data General 社の Aviion サーバーは，1999年に EMC に買収され，2001年，製造が打ち切られた。
NUMA 製品をもつシークエントは，1999年に IBM に買収され，販売を打ち切られている。
このようにサーバー業界では，NUMA 技術は消え去ると見られている。
2002年４月16日，.NET Enterprise Server と .NET Datacenter に NUMA 技術を搭載すると発表。
これにより，ソフトウェアが NUMA に対応したコンピューターかどうかを判断。
その場合はタスクを分散し，演算処理をセルごとに割り振る際に，関連するタスクの大部分が高速データ通信の可能な同一セル内に収まるようにすることで，処理が常に最高速度で行われるようにするというもの。
Quantum well 量子井戸技術
約 5nm の小さなワイヤーを使用してデータを保存する技術。
現行のチップ製造技術を利用でき，いくつかの既存技術を使って（メモリ）セルとナノワイヤーを作ることができる。
現行のフラッシュチップと，ほぼ同程度のコストで製造でき，より低消費電力・高性能になるらしい。
歴史的なメモリー
計算機に使われた最初の数値を記憶する装置は，歯車であった。
その後，電子回路を応用した計算機が出現すると，
記憶装置の必要性は増大したが，価格と信頼性が問題となった。
最初の電子計算機である ABC に使われた記憶装置は，ライデン瓶であった。
最初にコンピューターのメモリーは EDVAC の水銀遅延管である。
水銀遅延管
基本的な原理は，ピエール・キュリーとジャック・キュリー，
及びウィリアム・ショックリーにより発見されている。
水銀遅延管自体は John P. Eckert が MIT の放射線研究所に在職中に考案。
水銀を満たした管の両端に石英の結晶を取り付け，一端の結晶に電流を流して振動させると，
この音波が水銀管を伝わりもう一端の結晶が振動すると電気信号が発生する。
この両方の結晶を増幅回路で接続すると，信号を保持することができる。
最初の，EDVAC に使われた水銀遅延管の容量は 1000 Bit/ 本であった。
磁歪遅延線（じわいちえんせん）メモリー，ディレイライン
1960年代のメモリー。
ETL-Mark IV，沖電気のラインプリンター，SONY の電卓などに使われた。
現在はセンサーに応用されている。
電磁遅延線シリアルレジスター
HITAC 5020 に使われた。
磁気コアメモリー
磁気コアと配線で，コアの磁化の方向を変えることで０と１を記憶させるメモリー。
小さなフェライトのリング（コア）を，書き込み線とそれに直角に交わる読みだし線で編み上げてある。
コアは書き込み線と読みだし線の交点上に配置される。
最後には 256 ×1 bit のIC の形状の製品があった。
読み出しは書き込み用の導線にコアが０の状態なるように電流を流した場合，
コアが１だった場合は，磁束の変化が起こるので，読み出し線に感応電流が流れる。
コアが０だった場合は磁束の変化が起こらないので，読み出し線に感応電流は流れない。
このように，読み出し線の電流でメモリーを読み出す。
読み出しをかけると，磁気コアの内容が破壊される（破壊読み出し）ので，
読み出した後，再度同じ内容を書き込む必要があり，
この両者（読み出しと再書き込み）の時間を合わせてサイクル・タイムと呼び，
磁気コアメモリーではアクセスタイムよりサイクル・タイムのほうが重要視される。
コアメモリーのサイクル・タイムは 0.1〜１μsec だった。
ワイヤーメモリー
磁性体のワイヤーを編んで作られた主記憶装置。
コアメモリーと同様の原理で動作する。
コアメモリーより小型・軽量で，1970年代の国産の小型ミニコンに使われた。
destructive read out（DRO） 破壊読み出し
メモリーを読み出すと，その内容が破壊（消去）される事。
コアメモリー，バブルメモリー，DRAM は一度読み出すと内容が破壊されるので，再書き込みが必要である。
MBarTC
デスクトップ右端の細長い縦棒グラフでメモリ使用率を確認できるフリーソフト。
2006年４月６日 v5.0 が公開，対応 OS は Windows 95/98/Me/NT 4.0/2000/XP。
サイト：http://www.asahi-net.or.jp/~ri3a-okn
MemInfo
タスクトレイアイコン内に物理メモリ使用率を表す横棒グラフと物理・仮想メモリ使用量を表す数値を表示できるフリーソフト。
2005年４月 v1.62 公開，対応 OS は Windows NT/2000/XP/Server 2003。
サイト：http://www.carthagosoft.net
小さなメモリバー
デスクトップ右端にメモリの使用量を細長い棒グラフで表示するフリーソフト。
2003年６月25日に v4.0 が公開，対応 OS は Windows 95/98/Me/NT 4.0/2000。
サイト：http://www.asahi-net.or.jp/~ri3a-okn
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