Czochralski method チョクラルスキー法，引き上げ法
るつぼ中の原料物質の融液に種結晶を接触させ，ゆっくりと回転させながら上方へ引き上げて，半導体の単結晶を作製する方法の一種。
LSI 用シリコン結晶はこの方法で作られる。
LEC 法，融液封止引き上げ法
チョクラルスキー法の改良で，成分元素の蒸発を防止するため，融液を適当な物質で覆う方法。
ガリウム・ヒ素結晶の基板や，ガリウム・リン結晶などはこの方法で作られる。
今日の主流の結晶作製技術。
horizontal Bridgeman method（HB 法） 水平ブリッジマン法
LEC 法と並ぶ，化合物半導体の主な結晶成長のーつ。
成分の原料物質の融液を石英製の容器に入れて一端を種結晶に接触させ，
融液部分を融点以上に保ちながら種結晶端から少しずつ冷却・固化させて，結晶を成長させていく方法。
LEC 法より，歴史は古く，格子欠陥の少ない良質の結晶が得られる。
電気抵抗の低いガリウム・ヒ素結晶は主にこの方法で作られている。
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